Self-standing, flexible and solution processable organic field effect transistors for complementary inverter applications
Ultra-cienkie tranzystory na bazie samonośnych kompozytów dielektryk/półprzewodnik do zastosowania jako podstawowy element w konstrukcji elastycznych układów elektronicznych
Project type: Research and development
Keywords: półprzewodnik organiczny dielektryk organiczny tranzystor polowy urządzenie elastyczne
Keywords (english): organic semiconductor organic dielectric field effect transistor flexible device
Consortium members: Project was not implemented as part of a consortium
Project implementation period: 1/10/2017 - 30/09/2022
Funding institution: Fundacja na Rzecz Nauki Polskiej
Program name: Program Operacyjny Inteligentny Rozwój (POIR)
Project manager: Tomasz Marszałek
Funding value: 3 345 107,50 PLN
Total project value: 3 345 107,50 PLN
Projekt zakłada dobór składników oraz optymalizację procesów wytwarzania kompozytu dielektryk/półprzewodnik, który zostanie następnie zdjęty ze sztywnego podłoża tworząc samonośną, elastyczną folię z warstwą półprzewodnika organicznego. Na tak wytworzonej folii, metodą druku naniesione zostaną przewodzące ścieżki wraz z elektrodami, tworząc architekturę tranzystora z efektem polowym. W końcowym etapie projektu, na bazie najlepszego systemu, zaplanowano wytworzenie prostego układu elektronicznego typu inverter
Plastic transistors do not only create an interesting field of science but also belong to highly promising technology for future decives. To reduce the production costs, new processing ideas are required. One approach is focused on the deposition of the substrate polymer together with the organic semiconductor from one solution. During solvent evaporation or post-treatment a vertical phase separatuion between the isolating polymer and the semiconductor occurs. The semiconductor crystallizes on the film surface creating the active layer for the charge carrier transport. On the other hand, the isolating polymer forms both the film carrier and the necessary dielectric for the transistor which separates the gate electrode from the semiconductor. As electrode material, a graphene based ink is developed which is applied on the flexible films by inkjet printing. These electrodes will ensure an unhindered charge carrier injection into the active layer even under pronounced bending conditions.
Go back